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选用低能电子束,样品不用镀膜,可直接观察样品的形貌和成分衬度

选用低加速电压，即意味着使用低能电子束，入射样品后受到散射的扩散区域小，相互作用区接近表面，有利于表面形貌成像。常规加速电压观察半导体或绝缘体时，样品必须镀导电膜，这时形貌衬度是成像衬度，膜层完全掩盖了样品不同元素出射电子产率的变化，不能观察到样品的成分衬度。选用低能电子束，样品不用镀膜，可直接观察样品的形貌和成分衬度，充分反映出材料的原貌。

对于某些导电性差的材料，如半导体、集成电路、印制板、电脑零件、纸张、纤维、或者含水的动植物样品，要求直接观察微观形貌，使用常规高真空（High vacuum，HV）成像受到限制，应该使用VP（Variable pressure，可变压力模式）或EP（Extend pressure，扩展压力模式）成像技术。

硅酸盐、高分子、陶瓷和生物等非金属材料的断口

对于硅酸盐、高分子、陶瓷和生物等非金属材料的断口，由于其表面凹凸起伏比较严重，在溅射金属化膜层时，采用旋转镀膜台进行镀膜，否则要采用人为的左、右分别倾斜摆放，至少蒸镀两次，来增加样品表面的导电性、导热性，以及减小凹凸和空隙带来的自掩蔽和不连续影响。

对于抛光平整的样品做一般的形貌观察时，一般只需镀5 nm左右的金属导电膜，而对于表面较粗糙的样品，其膜层厚度一般> 10 nm。金和铂的导电膜具有良好的导电性，而且它们的二次电子发射率高，在空气中不容易氧化，膜厚易控制。镀金可以拍摄到质量好的照片，但如果需要拍摄5万倍以上的照片时，镀铬、铂或钨，它们的颗粒都比黄金颗粒更细微，可以拍摄到细节更丰富、图像更细腻的照片。

当有电流经灯丝时,阴极被直接加热,钨灯丝中的电子受热激发

当有电流流经灯丝时，阴极被直接加热，钨灯丝中的电子受热激发，在加速电场的作用下，电子定向发射。在正常的工作温度下，电子从大约100um×150um的面积发射离开“V”形阴极。当阴极的发射温度增加时，其发射电流以指数的方式快速增长，使得束斑亮度大增。但由于钨阴极自身温度升高，使之蒸发加快，阴极丝直径随着蒸发量的加大而变小，也随使用时间的增长而变得越来越细，导致阴极丝断开。因此，灯丝达到工作温度及饱和度所需的加热电流也随灯丝的变细而减小，其寿命也随加热温度的升高而降低。