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发布时间:2022-07-30 14:22:00 作者:九鼎
二次电子是相对于入射电子的一种提法
二次电子是相对于入射电子的一种提法。它是指被高能入射(也称为一次或初次)电子束轰击出来的试样中的核外电子。由于原子核和外层价电子间的结合能很小,当原子的核外电子从入射电子那里获得大于相应的结合能后,就可脱离原子核的约束而成为自由电子。如果这种脱离过程发生在试样表面和亚表面层,那么这些能量大于材料逸出功的电子就可以从试样表面逸出,就成为二次电子。
二次电子像的分辨力优于背散射像
二次电子主要是来自于距试样表面1~10nm之间深度的亚表面(试样表面0~1nm之间深度发出的电子主要为俄歇电子),二次电子能量在0~50eV之间,平均能量约30eV,所以这些二次电子能很好地显示出试样表面的微观形貌。由于入射电子仅经过几纳米的路径,还没有被多次反射和明显扩散,因此在入射电子照射的作用区内产生的二次电子区域与入射束的束斑直径差别不大,所以在同一台电镜中二次电子像的分辨能力。二次像的分辨力优于背散射像,背散射像的分辨力优于吸收电流像,吸收电流像的分辨力优于阴极荧光像。目前场发射和钨阴极电镜的二次电子像的分辨力都能分别优于1.0nm和3.0nm。一般情况下,扫描电镜的指标中所提及的图像分辨力,若没有特别说明,都是泛指二次电子像的分辨力。
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