二次电子的能量低,受局部电场的影响变化大

二次电子的能量低，受局部电场的影响变化大，如图a所示的颗粒在电子束的照射下因充了负电子而发白，在这发白的颗粒周围感应了正电荷，而感应了正电荷的区域导致二次电子的发射量减小，使颗粒周围明显变暗。由于二次电子像分辨力高、阴影效应不明显、景深深、立体感强，所以它是扫描电镜中主要的成像方式。它特别适用于观察和分析起伏较大的粗糙面，如金属、陶瓷和塑料等材料的断口，所以在材料学科中扫描电镜得到了广泛应用。

背散射电子的激发深度随加速电压的升高而增大

背散射电子的激发深度随加速电压的升高而增大，对于中等原子序数的元素来说，背散射电子的产生深度主要来自于距试样表面约lum深度内的信息，轻元素和超轻元素试样的背散射电子的产生深度可达试样表面以下2~3um。在一定的加速电压下，由于背散射电子的产额基本上随试样原子序数的而增加。所以，利用背散射电子作为成像信号不仅能分析试样形貌特征(纯形貌像)，而且还可用于显示试样化学组分的组成特征(原子序数衬度像)，在一定的范围内能粗略进行定性分析试样表面的化学组分分布状况。

扫描电子显微镜的景深取决于临界分辨本领d0和电子束入射半角α

景深是指焦点前后的一个距离范围，该范围内所有物点所成的图像符合分辨率要求，可以成清晰的图像；也即，景深是可以被看清的距离范围。

　　扫描电子显微镜的景深比透射电子显微镜大10倍，比光学显微镜大几百倍。由于图像景深大，所得扫描电子像富有立体感。电子束的景深取决于临界分辨本领d0和电子束入射半角αc。其中，临界分辨本领与放大倍数有关，因人眼的分辨本领约为0.2 mm, 放大后，要使人感觉物像清晰，要使电子束的分辨率高于临界分辨率d0 ：电子束的入射角可通过改变光阑尺寸和工作距离来调整，用小尺寸的光阑和大的工作距离可获得小的入射电子角。