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二次电子是相对于入射电子的一种提法。它是指被高能入射(也称为一次或初次)电子束轰击出来的试样中的核外电子。由于原子核和外层价电子间的结合能很小,当原子的核外电子从入射电子那里获得大于相应的结合能后,FIB电镜制样价格,就可脱离原子核的约束而成为自由电子。如果这种脱离过程发生在试样表面和亚表面层,那么这些能量大于材料逸出功的电子就可以从试样表面逸出,就成为二次电子。
背散射电子像具有下列基本性质和特点:
(1)其成像信息主要来自于返回试样表面的原一次电子,大部分电子的能量基本接近于原入射电子的能量。
(2)由于入射电子在试样中产生背散射电子的区域比二次电子的区域深、范围大,故背散射电子像的几何分辨力远不如二次电子像,对于中等或以上元素的分辨力与二次像相比约差2.5倍以上。
(3)由于背散射电子的能量较大,保定FIB电镜制样,故其出射方向基本不受试样表面弱电场的影响,而且类似于点光源的形式以直线方式沿其径向轨迹散射开来。因此,FIB电镜制样机构,只有出射方向正对着探测器的背散射电子才可以进入探测器中。当背散射探测器的有效面积所覆盖的立体角越大时,其接收效率越高,信噪比也越好,图像分辨力越能得到改善。
直热式的钨阴极发射通过对灯丝的直接加热,把电子从钨阴极材料中激发出来。若增加灯丝的加热电流,FIB电镜制样哪家好,灯丝的温度就会随之上升,发射的束流也会随之加大。当灯丝的发射束流达到其高点时,即使再加大灯丝的加热电流,其发射的束流也很难再有明显增加,而只会增加灯丝的温度,从而加速灯丝的挥发,进而导致灯丝很快烧断。也就是说操作者应该小心地施加灯丝的加热电流,以获得既大又稳定的发射束流,而灯丝的温度又能恰到好处,不至于升得太高而造成过热,这个点就叫作饱和点。