企业等级: | 普通会员 |
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二次电子是相对于入射电子的一种提法。它是指被高能入射(也称为一次或初次)电子束轰击出来的试样中的核外电子。由于原子核和外层价电子间的结合能很小,当原子的核外电子从入射电子那里获得大于相应的结合能后,就可脱离原子核的约束而成为自由电子。如果这种脱离过程发生在试样表面和亚表面层,那么这些能量大于材料逸出功的电子就可以从试样表面逸出,就成为二次电子。
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背散射电子的激发深度随加速电压的升高而增大,对于中等原子序数的元素来说,威海原位气相,背散射电子的产生深度主要来自于距试样表面约lum深度内的信息,轻元素和超轻元素试样的背散射电子的产生深度可达试样表面以下2~3um。在一定的加速电压下,原位气相中心,由于背散射电子的产额基本上随试样原子序数的而增加。所以,原位气相哪家好,利用背散射电子作为成像信号不仅能分析试样形貌特征(纯形貌像),而且还可用于显示试样化学组分的组成特征(原子序数衬度像),在一定的范围内能粗略进行定性分析试样表面的化学组分分布状况。