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二次电子主要是来自于距试样表面1~10nm之间深度的亚表面（试样表面0~1nm之间深度发出的电子主要为俄歇电子），聊城扫描电镜分析，二次电子能量在0~50eV之间，平均能量约30eV，所以这些二次电子能很好地显示出试样表面的微观形貌。由于入射电子仅经过几纳米的路径，还没有被多次反射和明显扩散，因此在入射电子照射的作用区内产生的二次电子区域与入射束的束斑直径差别不大，扫描电镜分析机构，所以在同一台电镜中二次电子像的分辨能力。二次像的分辨力优于背散射像，背散射像的分辨力优于吸收电流像，吸收电流像的分辨力优于阴极荧光像。目前场发射和钨阴极电镜的二次电子像的分辨力都能分别优于1.0nm和3.0nm。一般情况下，扫描电镜的指标中所提及的图像分辨力，若没有特别说明，都是泛指二次电子像的分辨力。

加速电压越低，电子束的波长越长，越不容易得到高分辨力的图像，所以低加速电压仅适合于拍摄放大倍率不太高的图像，还有信噪也比较差，抗外部电磁场的干扰能力也较弱，对试样表层所受的污染会变得更敏感，所以不易得到高清晰和高分辨力的图像。

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在目前微观形貌的分析研究中，随着半导体器件等高新技术的发展，扫描电镜分析价格，往往要求对表面的细微结构能够更深入地观察和了解，因此发展高分辨力的电镜一直是生产厂商和用户们所追求的共同目标。要获得一张清晰、高分辨的照片，不仅要有一台性能***的高分辨力扫描电子显微镜，而且还取决于试样自身的特征和操作人员的工作经验，即要考虑以下几种因素：

（1）入射电子束的束流密度要足够大，而且稳定→电子源的发射问题。

（2）入射电子束的束斑是否足够细、足够旋转对称（圆），涉及电子透镜的设计、加工和装配水平，以及镜筒受污染的影响程度等→探针的形成问题。