天津9d实验室(图)-天津三维重构-东莞三维重构

二次电子是相对于入射电子的一种提法。它是指被高能入射（也称为一次或初次）电子束轰击出来的试样中的核外电子。由于原子核和外层价电子间的结合能很小，东莞三维重构，当原子的核外电子从入射电子那里获得大于相应的结合能后，就可脱离原子核的约束而成为自由电子。如果这种脱离过程发生在试样表面和亚表面层，那么这些能量大于材料逸出功的电子就可以从试样表面逸出，三维重构费用，就成为二次电子。

背散射电子的激发深度随加速电压的升高而增大，对于中等原子序数的元素来说，背散射电子的产生深度主要来自于距试样表面约lum深度内的信息，三维重构中心，轻元素和超轻元素试样的背散射电子的产生深度可达试样表面以下2~3um。在一定的加速电压下，由于背散射电子的产额基本上随试样原子序数的而增加。所以，利用背散射电子作为成像信号不仅能分析试样形貌特征(纯形貌像)，天津三维重构，而且还可用于显示试样化学组分的组成特征(原子序数衬度像)，在一定的范围内能粗略进行定性分析试样表面的化学组分分布状况。

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