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为了观察到复合材料界面区的二次电子像,应用某种方法将材料的界面区域暴露于试样表面。例如:
将纤维增强复合材料中的纤维拉出,江门三维重构,暴露出纤维表面和原先与纤维相结合的基体表面,这是受到或多或少损坏的界面。
另一个常用的方法是对复合材料施力,使其沿设定的方向断裂。对脆性材料,三维重构哪家好,可在常温下实施;而对韧性复合材料,三维重构费用,可用冷冻断裂法,在液氮温度下将材料脆性断裂,暴露出包含基体、增强体和界面的区域。
还有一种方法是将暴露了界面区的端面或断裂面,在超薄切片机上用金刚石刀或玻璃刀切平。
二次电子的发射率随原子序数的变化不是很明显,如图a所示,三维重构中心,它主要取决于试样的表面形貌。它是入射电子与试样中核外电子碰撞,使试样表面的核外电子被激发出来所产生的电子。当这些代表试样表面结构特征的电子被相应的探测器收集后作为扫描电镜的成像信号,其所成的像就称为二次电子像。二次电子像的衬度主要取决干试样表面与入射电子束所构成的倾角,而对于表面有一定形貌的试样,其形貌被看成由许许多多与入射电子束构成不同倾斜角度的微小形貌,如凸点、尖峰、台阶、平面、凹坑、裂纹和孔洞等细节所组成。
背散射电子的激发深度随加速电压的升高而增大,对于中等原子序数的元素来说,背散射电子的产生深度主要来自于距试样表面约lum深度内的信息,轻元素和超轻元素试样的背散射电子的产生深度可达试样表面以下2~3um。在一定的加速电压下,由于背散射电子的产额基本上随试样原子序数的而增加。所以,利用背散射电子作为成像信号不仅能分析试样形貌特征(纯形貌像),而且还可用于显示试样化学组分的组成特征(原子序数衬度像),在一定的范围内能粗略进行定性分析试样表面的化学组分分布状况。