丽江FIB电镜制样-天津9d实验室-FIB电镜制样哪家好

从电子中发射出高能电子束撞击样品表面，与原子的内层电子发生非弹性散射作用时，使原子发生电离，从而使原子失去一个内层电子而变成离子，并在该电子层对应位置产生一个空穴，原子为了恢复到稳定态，FIB电镜制样中心，较外层的电子就会填补到这个空穴，在填补过程中同时会产生具有特征能量的X射线，探测器接收到这些特征X射线后，经过分析处理转换得到谱图和分析数据输出。

当以背散射电子为调制信号时，由于背散射电子能量比较高，丽江FIB电镜制样，穿透能力强，FIB电镜制样费用，可从样品中较深的区域逸出(约为有效作用深度的30%左右)。在此深度范围，入射电子已有了相当宽的侧向扩展，所以背散射电子像分辨率要比二次电子像低，一般在500～2000nm左右。

扫描电子显微镜的制造是依据电子与物质的相互作用。当一束高能的入射电子轰击物质表面时，被激发的区域将产生二次电子、俄歇电子、特征x射线和连续谱X射线、背散射电子、透射电子，以及在可见、紫外、红外光区域产生的电磁辐射。同时，也可产生电子-空穴对、晶格振动 （声子）、电子振荡 （等离子体）。原则上讲，利用电子和物质的相互作用，可以获取被测样品本身的各种物理、化学性质的信息，如形貌、组成、晶体结构、电子结构和内部电场或磁场等。

背散射电子的激发深度随加速电压的升高而增大，对于中等原子序数的元素来说，背散射电子的产生深度主要来自于距试样表面约lum深度内的信息，轻元素和超轻元素试样的背散射电子的产生深度可达试样表面以下2~3um。在一定的加速电压下，由于背散射电子的产额基本上随试样原子序数的而增加。所以，利用背散射电子作为成像信号不仅能分析试样形貌特征(纯形貌像)，而且还可用于显示试样化学组分的组成特征(原子序数衬度像)，在一定的范围内能粗略进行定性分析试样表面的化学组分分布状况。