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在半导体器件(IC)研究中的特殊应用：

　1)利用电子束感生电流EBIC进行成像，球差电镜测试中心，可以用来进行集成电路中pn结的定位和损伤研究

　2)利用样品电流成像，结果可显示电路中金属层的开、短路，玉溪球差电镜测试，因此电阻衬度像经常用来检查金属布线层、多晶连线层、金属到硅的测试图形和薄膜电阻的导电形式。

　3)利用二次电子电位反差像，球差电镜测试费用，反映了样品表面的电位，从它上面可以看出样品表面各处电位的高低及分布情况，特别是对于器件的隐开路或隐短路部位的确定尤为方便。

　4、利用背散射电子衍射信号对样品物质进行晶体结构(原子在晶体中的排列方式)，晶体取向分布分析，基于晶体结构的相鉴定。

加速电压越高入射电子束的波长越短，也就越容易得到高分辨力的图像，还有抗外部电磁场的干扰能力也会增强，也不易受到试样表层污染斑的影响，所以高的加速电压比较适合拍摄高倍率的图像。

选择高加速电压的缺点，所获得的图像会缺少表面信息和细节，易呈现高反差，特别是会明显变大边缘效应，使得到的图像欠柔和，也会使图像容易呈现生硬的感觉。另外，高的加速电压、大的束斑也容易造成试样的放电和损伤，球差电镜测试价格，以及图形的漂移。

二次电子的能量低，受局部电场的影响变化大，如图a所示的颗粒在电子束的照射下因充了负电子而发白，在这发白的颗粒周围感应了正电荷，而感应了正电荷的区域导致二次电子的发射量减小，使颗粒周围明显变暗。由于二次电子像分辨力高、阴影效应不明显、景深深、立体感强，所以它是扫描电镜中主要的成像方式。它特别适用于观察和分析起伏较大的粗糙面，如金属、陶瓷和塑料等材料的断口，所以在材料学科中扫描电镜得到了广泛应用。