天津高分辨透射电镜测试-天津9d实验室(在线咨询)

灯丝达到工作温度及饱和度所需的加热电流也随灯丝的变细而减小，其寿命也随加热温度的升高而降低。由于钨阴极自身温度升高，使之蒸发加快，阴极丝直径随着蒸发量的加大而变小，也随使用时间的增长而变得越来越细，导致阴极丝断开。

虽然提高灯丝的工作温度，即加大加热电流可能还能略微加大发射束流、增加一点亮度，但付出的代价将会是使灯丝寿命明显缩短；反之若适当地减小加热电流，则灯丝的工作寿命会相应延长。正常的灯丝加热电流应调在临界饱和状态，从而既可稳定地发射电流，又不至于影响其正常的工作寿命。

二次电子主要是来自于距试样表面1~10nm之间深度的亚表面（试样表面0~1nm之间深度发出的电子主要为俄歇电子），二次电子能量在0~50eV之间，平均能量约30eV，所以这些二次电子能很好地显示出试样表面的微观形貌。由于入射电子仅经过几纳米的路径，还没有被多次反射和明显扩散，因此在入射电子照射的作用区内产生的二次电子区域与入射束的束斑直径差别不大，所以在同一台电镜中二次电子像的分辨能力。二次像的分辨力优于背散射像，背散射像的分辨力优于吸收电流像，吸收电流像的分辨力优于阴极荧光像。目前场发射和钨阴极电镜的二次电子像的分辨力都能分别优于1.0nm和3.0nm。一般情况下，扫描电镜的指标中所提及的图像分辨力，若没有特别说明，天津高分辨透射电镜测试，都是泛指二次电子像的分辨力。

二次电子是相对于入射电子的一种提法。它是指被高能入射（也称为一次或初次）电子束轰击出来的试样中的核外电子。由于原子核和外层价电子间的结合能很小，当原子的核外电子从入射电子那里获得大于相应的结合能后，就可脱离原子核的约束而成为自由电子。如果这种脱离过程发生在试样表面和亚表面层，那么这些能量大于材料逸出功的电子就可以从试样表面逸出，就成为二次电子。