天津9d实验室(图)-投射电镜分析费用-汕头投射电镜分析

扫描电子显微镜SEM 基本参数

放大率：通过控制扫描区域的大小来控制放大率的。如果需要更高的放大率，只需要扫描更小的一块面积就可以了。放大率由屏幕/照片面积除以扫描面积得到

场深：扫描电子显微镜SEM中，位于焦平面上下的一小层区域内的样品点都可以得到良好的会焦而成象。这一小层的厚度称为场深，汕头投射电镜分析，通常为几纳米厚，所以，投射电镜分析中心，SEM可以用于纳米级样品的三维成像。

工作距离：工作距离指从物镜到样品高点的垂直距离。如果增加工作距离，可以在其他条件不变的情况下获得更大的场深。 如果减少工作距离，则可以在其他条件不变的情况下获得更高的分辨率。通常使用的工作距离在5毫米到10毫米之间。

在半导体器件(IC)研究中的特殊应用：

　1)利用电子束感生电流EBIC进行成像，投射电镜分析哪家好，可以用来进行集成电路中pn结的定位和损伤研究

　2)利用样品电流成像，结果可显示电路中金属层的开、短路，因此电阻衬度像经常用来检查金属布线层、多晶连线层、金属到硅的测试图形和薄膜电阻的导电形式。

　3)利用二次电子电位反差像，反映了样品表面的电位，从它上面可以看出样品表面各处电位的高低及分布情况，特别是对于器件的隐开路或隐短路部位的确定尤为方便。

　4、利用背散射电子衍射信号对样品物质进行晶体结构(原子在晶体中的排列方式)，晶体取向分布分析，投射电镜分析费用，基于晶体结构的相鉴定。

背散射电子的激发深度随加速电压的升高而增大，对于中等原子序数的元素来说，背散射电子的产生深度主要来自于距试样表面约lum深度内的信息，轻元素和超轻元素试样的背散射电子的产生深度可达试样表面以下2~3um。在一定的加速电压下，由于背散射电子的产额基本上随试样原子序数的而增加。所以，利用背散射电子作为成像信号不仅能分析试样形貌特征(纯形貌像)，而且还可用于显示试样化学组分的组成特征(原子序数衬度像)，在一定的范围内能粗略进行定性分析试样表面的化学组分分布状况。