FIB电镜制样中心-怒江FIB电镜制样-9d实验室样品测试

在半导体器件(IC)研究中的特殊应用：

　1)利用电子束感生电流EBIC进行成像，可以用来进行集成电路中pn结的定位和损伤研究

　2)利用样品电流成像，结果可显示电路中金属层的开、短路，因此电阻衬度像经常用来检查金属布线层、多晶连线层、金属到硅的测试图形和薄膜电阻的导电形式。

　3)利用二次电子电位反差像，反映了样品表面的电位，从它上面可以看出样品表面各处电位的高低及分布情况，特别是对于器件的隐开路或隐短路部位的确定尤为方便。

　4、利用背散射电子衍射信号对样品物质进行晶体结构(原子在晶体中的排列方式)，晶体取向分布分析，FIB电镜制样价格，基于晶体结构的相鉴定。

当扫描电镜的电子束轰击试样表面时，怒江FIB电镜制样，电子束会进入试样内部，产生散射现象，电子束在散射后会改变前进方向，而且还会损失部分能量，随之而来产生各种其他信息，如热、俄歇电子、X射线、可见光、二次电子、背散射电子等。

当入射电子与试样相互作用后，其中有一部分电子会返回表面逸出，则这部分被返回表面逸出的原入射电子被称为背散射电子。在实际成像过程中，FIB电镜制样哪家好，通常以能量大小对电子信息进行分类，能量大于50eV而小于入射束能量E0的电子称为背散射电子，大部分背散射电子的能量约为原入射能量E0的0.7～0.9倍。利用背散射电子来成像所获得的图像称为背散射电子像。背散射电子像在电镜成像中的使用率和图像的分辨力也都比较高，FIB电镜制样中心，仅次于一次电子像。

加速电压越低，电子束的波长越长，越不容易得到高分辨力的图像，所以低加速电压仅适合于拍摄放大倍率不太高的图像，还有信噪也比较差，抗外部电磁场的干扰能力也较弱，对试样表层所受的污染会变得更敏感，所以不易得到高清晰和高分辨力的图像。

加速电压越高入射电子束的波长越短，也就越容易得到高分辨力的图像，还有抗外部电磁场的干扰能力也会增强，也不易受到试样表层污染斑的影响，所以高的加速电压比较适合拍摄高倍率的图像。