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在半导体器件(IC)研究中的特殊应用：

　1)利用电子束感生电流EBIC进行成像，可以用来进行集成电路中pn结的定位和损伤研究

　2)利用样品电流成像，结果可显示电路中金属层的开、短路，因此电阻衬度像经常用来检查金属布线层、多晶连线层、金属到硅的测试图形和薄膜电阻的导电形式。

　3)利用二次电子电位反差像，反映了样品表面的电位，从它上面可以看出样品表面各处电位的高低及分布情况，特别是对于器件的隐开路或隐短路部位的确定尤为方便。

　4、利用背散射电子衍射信号对样品物质进行晶体结构(原子在晶体中的排列方式)，晶体取向分布分析，基于晶体结构的相鉴定。

二次电子主要是来自于距试样表面1~10nm之间深度的亚表面（试样表面0~1nm之间深度发出的电子主要为俄歇电子），二次电子能量在0~50eV之间，平均能量约30eV，所以这些二次电子能很好地显示出试样表面的微观形貌。由于入射电子仅经过几纳米的路径，还没有被多次反射和明显扩散，因此在入射电子照射的作用区内产生的二次电子区域与入射束的束斑直径差别不大，所以在同一台电镜中二次电子像的分辨能力。二次像的分辨力优于背散射像，背散射像的分辨力优于吸收电流像，吸收电流像的分辨力优于阴极荧光像。目前场发射和钨阴极电镜的二次电子像的分辨力都能分别优于1.0nm和3.0nm。一般情况下，扫描电镜的指标中所提及的图像分辨力，若没有特别说明，都是泛指二次电子像的分辨力。

扫描电镜分辨率与电子在试样上的小扫描范围有关，电子束斑越小，球差电镜测试价格，电子在试样上的分辨率越高。在保证束斑足够小的情况下，球差电镜测试费用，电子束还要有足够的强度。束流太低不能从试样表面激发足够的信号，噪声影响大。二次电子对形貌敏感。凸起部位亮，凹陷部位暗，汕尾球差电镜测试，景深好，细节清晰。　　背散射电子对原子序数敏感，原子序数高的区域能得到更多的背散射电子，相应图像较亮，可以用来观察材料成分的分部。　　原子被激发会发出，球差电镜测试中心，每种元素受激发射发出的会不同，通过对不同X进行检测，就可知道材料中包括什么元素和比例。